sexta-feira, 14 de maio de 2021

Tecnologia de carregamento rápido GaN ou GaNfast

Buenasss!!

A sigla GaN é nitreto de gálio. Não é uma tecnologia nova, mas para carregamento de celulares e outros dispositivos móveis é sim.

O GaN é um material semicondutor que ganhou popularidade a partir dos anos 1990, tendo sido utilizado para a fabricação de LEDs. O material está presente também em aparelhos Blu-Ray para produzir luz azul que lê os dados do DVD e em matrizes de células solares em satélites. Em breve, o material deve passar a substituir o silício em diversas áreas.

Esses carregadores de celular com GaN têm como destaque o uso de nitreto de gálio, por isso conseguem ser mais potentes e ainda geram menos calor que os carregadores tradicionais e também os carregadores rápidos (ou turbo charger).

O GaN chega como uma boa alternativa para os transistores feitos de silício. O nitrato de gálio conduz uma corrente elétrica de forma mais rápida, sendo mais eficiente e gerando menos calor. Carregadores feitos com o GaN também são menores e usam menos componentes em sua fabricação. Assim, como já foi dito, essa maior eficiência energética permite produzir circuitos integrados muito menores, resultando em carregadores menores e mais leves entregando a mesma potência de um carregador baseado em silício.

Quer saber mais? Acesse este link que tem uma explicação muito completa sobre o assunto!

Flw vlw.



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